早盤三大指數(shù)繼續(xù)上行，盤中再度刷年內(nèi)新高，滬指盤中一度站上3700點(diǎn)。盤中半導(dǎo)體、AI芯片等板塊表現(xiàn)強(qiáng)勢，漲幅居前，科創(chuàng)芯片ETF富國（588810）盤中漲幅達(dá)4.2%，芯片龍頭ETF（516640）盤中漲幅達(dá)3.72%，信創(chuàng)ETF富國（159538）盤中漲幅達(dá)3.65%。以上三只基金共同的成分股寒武紀(jì)盤中漲超13%，海光信息漲超10%。

消息面，國新辦發(fā)布會透露，我國經(jīng)多年攻堅(jiān)，在數(shù)字領(lǐng)域突破眾多關(guān)鍵核心技術(shù)。集成電路加快布局，形成覆蓋設(shè)計(jì)、制造、封裝測試、裝備材料的完整產(chǎn)業(yè)鏈；我國人工智能綜合實(shí)力實(shí)現(xiàn)整體性、系統(tǒng)性躍升，人工智能專利數(shù)量占全球總量的60%。

與此同時(shí)，華為將于 8 月 19 日在上海舉辦數(shù)據(jù)存儲 AI SSD 新品發(fā)布會。其即將發(fā)布的 AISSD 技術(shù)，能大幅降低 AI 推理對 HBM 技術(shù)的依賴，推理時(shí)延最多可降低 78%，單卡吞吐量預(yù)計(jì)提升 67%。

科創(chuàng)芯片ETF富國（588810）緊密跟蹤科創(chuàng)芯片指數(shù)，該指數(shù)的選股范圍聚焦于科創(chuàng)板芯片企業(yè)，具備更高的彈性，且指數(shù)成份股在芯片設(shè)計(jì)、半導(dǎo)體設(shè)備和材料等芯片核心環(huán)節(jié)的占比較高，科技含量和技術(shù)壁壘都更高。半導(dǎo)體設(shè)備作為半導(dǎo)體上游產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵組成部分，也是國產(chǎn)替代最為迫切的領(lǐng)域之一，其未來發(fā)展前景廣闊。